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表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
其他题名表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器
郝永芹; 马晓辉; 李杨; 晏长岭; 徐莉; 冯源; 谢检来; 张昕; 岳光礼; 张晶; 王志伟; 王霞
2017-12-15
专利权人长春理工大学
公开日期2017-12-15
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD,下电极位于基条下表面,脊条位于基条上表面,上电极位于脊条上表面,基条自下而上包括衬底、N‑限制层、N‑波导层、有源区、P‑波导层,脊条自下而上包括P‑限制层、重掺杂接触层,脊条窄于基条;其特征在于,脊条属于宽条型,上电极在脊条长边方向上短于脊条,在脊条上表面两端刻蚀有表面介质光栅,在脊条两个侧面刻蚀有侧面介质光栅。该大功率分布反馈半导体激光器的温漂系数为0.062nm/K,线宽为0.8nm,连续输出功率为2W。
其他摘要表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有DFB‑LD在波长稳定性、线宽以及输出功率方面未能很好地兼顾。本发明之表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器属于边发射LD,下电极位于基条下表面,脊条位于基条上表面,上电极位于脊条上表面,基条自下而上包括衬底、N‑限制层、N‑波导层、有源区、P‑波导层,脊条自下而上包括P‑限制层、重掺杂接触层,脊条窄于基条;其特征在于,脊条属于宽条型,上电极在脊条长边方向上短于脊条,在脊条上表面两端刻蚀有表面介质光栅,在脊条两个侧面刻蚀有侧面介质光栅。该大功率分布反馈半导体激光器的温漂系数为0.062nm/K,线宽为0.8nm,连续输出功率为2W。
主权项一种表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器,属于边发射LD,下电极(1)位于基条(2)下表面,脊条(3)位于基条(2)上表面,上电极(4)位于脊条(3)上表面,基条(2)自下而上包括衬底、N-限制层、N-波导层、有源区、P-波导层,脊条(3)自下而上包括P-限制层、重掺杂接触层,脊条(2)窄于基条(2);其特征在于,脊条(3)属于宽条型,上电极(4)在脊条(3)长边方向上短于脊条(3),在脊条(3)上表面两端刻蚀有表面介质光栅(7),在脊条(3)两个侧面刻蚀有侧面介质光栅(8)。
申请日期2017-07-28
专利号CN107482477A
专利状态授权
申请号CN201710627764.7
公开(公告)号CN107482477A
IPC 分类号H01S5/12 | H01S5/22 | H01S5/042
专利代理人陶尊新
代理机构长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56548
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
郝永芹,马晓辉,李杨,等. 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器. CN107482477A[P]. 2017-12-15.
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