Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器 | |
| 其他题名 | 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器 |
| 赵碧瑶; 井红旗; 刘翠翠; 刘素平; 马骁宇 | |
| 2019-09-27 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况，使得几乎所有热量通过热沉的凸台流向底部热沉，使得激光器芯片中心导热性能优于两侧，其温度下降更快，整个激光器芯片温度更均匀，削弱了热透镜效应。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入改变了热流动情况，使得几乎所有热量通过热沉的凸台流向底部热沉，使得激光器芯片中心导热性能优于两侧，其温度下降更快，整个激光器芯片温度更均匀，削弱了热透镜效应。 |
| 主权项 | 一种半导体激光器芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤： (1)在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一； (2)在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片； (3)将步骤(2)得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。 |
| 申请日期 | 2019-06-20 |
| 专利号 | CN110289549A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910540105.9 |
| 公开（公告）号 | CN110289549A |
| IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/024 |
| 专利代理人 | 喻颖 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55557 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵碧瑶,井红旗,刘翠翠,等. 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器. CN110289549A[P]. 2019-09-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110289549A.PDF（1019KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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