Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪 | |
其他题名 | 一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪 |
张星; 周寅利 | |
2019-09-17 | |
专利权人 | 长春中科长光时空光电技术有限公司 |
公开日期 | 2019-09-17 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本申请公开了一种本垂直腔面发射激光器,包括多层复合有源层;所述复合有源层依次包括第一InGaAs势垒层、InGaAs量子阱层及第二InGaAs势垒层;所述InGaAs量子阱层的厚度范围为1纳米至3纳米,In的组分变化范围为0.8至1,包括端点值;所述第一势垒层及所述第二势垒层的厚度的范围为3纳米至5纳米,In的组分变化范围为0.1至0.3,包括端点值;所述复合有源层包括多个图形化的发光单元,其中,所述发光单元的长轴长度及短轴长度的范围为50纳米至100纳米,包括端点值。本申请实现了以InGaAs为量子阱层材料的4微米至7微米的长波长发光,降低了材料的生长难度。GaAs衬底的DBR反射镜降低了器件损耗,提升了激光器的输出性能。本申请还提供了一种具有上述有益效果的光谱检测仪。 |
其他摘要 | 本申请公开了一种本垂直腔面发射激光器,包括多层复合有源层;所述复合有源层依次包括第一InGaAs势垒层、InGaAs量子阱层及第二InGaAs势垒层;所述InGaAs量子阱层的厚度范围为1纳米至3纳米,In的组分变化范围为0.8至1,包括端点值;所述第一势垒层及所述第二势垒层的厚度的范围为3纳米至5纳米,In的组分变化范围为0.1至0.3,包括端点值;所述复合有源层包括多个图形化的发光单元,其中,所述发光单元的长轴长度及短轴长度的范围为50纳米至100纳米,包括端点值。本申请实现了以InGaAs为量子阱层材料的4微米至7微米的长波长发光,降低了材料的生长难度。GaAs衬底的DBR反射镜降低了器件损耗,提升了激光器的输出性能。本申请还提供了一种具有上述有益效果的光谱检测仪。 |
主权项 | 一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括多层复合有源层; 所述复合有源层依次包括第一InGaAs势垒层、InGaAs量子阱层及第二InGaAs势垒层; 所述InGaAs量子阱层的厚度范围为1纳米至3纳米,In的组分变化范围为0.8至1,包括端点值; 所述第一势垒层及所述第二势垒层的厚度的范围为3纳米至5纳米,In的组分变化范围为0.1至0.3,包括端点值; 所述复合有源层包括多个图形化的发光单元,其中,所述发光单元的长轴长度及短轴长度的范围为50纳米至100纳米,包括端点值。 |
申请日期 | 2019-06-26 |
专利号 | CN110247303A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201910561819.8 |
公开(公告)号 | CN110247303A |
IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/183 |
专利代理人 | 王雨 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55531 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春中科长光时空光电技术有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张星,周寅利. 一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪. CN110247303A[P]. 2019-09-17. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN110247303A.PDF(814KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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