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一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪
其他题名一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪
张星; 周寅利
2019-09-17
专利权人长春中科长光时空光电技术有限公司
公开日期2019-09-17
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本申请公开了一种本垂直腔面发射激光器,包括多层复合有源层;所述复合有源层依次包括第一InGaAs势垒层、InGaAs量子阱层及第二InGaAs势垒层;所述InGaAs量子阱层的厚度范围为1纳米至3纳米,In的组分变化范围为0.8至1,包括端点值;所述第一势垒层及所述第二势垒层的厚度的范围为3纳米至5纳米,In的组分变化范围为0.1至0.3,包括端点值;所述复合有源层包括多个图形化的发光单元,其中,所述发光单元的长轴长度及短轴长度的范围为50纳米至100纳米,包括端点值。本申请实现了以InGaAs为量子阱层材料的4微米至7微米的长波长发光,降低了材料的生长难度。GaAs衬底的DBR反射镜降低了器件损耗,提升了激光器的输出性能。本申请还提供了一种具有上述有益效果的光谱检测仪。
其他摘要本申请公开了一种本垂直腔面发射激光器,包括多层复合有源层;所述复合有源层依次包括第一InGaAs势垒层、InGaAs量子阱层及第二InGaAs势垒层;所述InGaAs量子阱层的厚度范围为1纳米至3纳米,In的组分变化范围为0.8至1,包括端点值;所述第一势垒层及所述第二势垒层的厚度的范围为3纳米至5纳米,In的组分变化范围为0.1至0.3,包括端点值;所述复合有源层包括多个图形化的发光单元,其中,所述发光单元的长轴长度及短轴长度的范围为50纳米至100纳米,包括端点值。本申请实现了以InGaAs为量子阱层材料的4微米至7微米的长波长发光,降低了材料的生长难度。GaAs衬底的DBR反射镜降低了器件损耗,提升了激光器的输出性能。本申请还提供了一种具有上述有益效果的光谱检测仪。
主权项一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括多层复合有源层; 所述复合有源层依次包括第一InGaAs势垒层、InGaAs量子阱层及第二InGaAs势垒层; 所述InGaAs量子阱层的厚度范围为1纳米至3纳米,In的组分变化范围为0.8至1,包括端点值; 所述第一势垒层及所述第二势垒层的厚度的范围为3纳米至5纳米,In的组分变化范围为0.1至0.3,包括端点值; 所述复合有源层包括多个图形化的发光单元,其中,所述发光单元的长轴长度及短轴长度的范围为50纳米至100纳米,包括端点值。
申请日期2019-06-26
专利号CN110247303A
专利状态申请中
申请号CN201910561819.8
公开(公告)号CN110247303A
IPC 分类号H01S5/343 | H01S5/183
专利代理人王雨
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55531
专题半导体激光器专利数据库
作者单位长春中科长光时空光电技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
张星,周寅利. 一种垂直腔面发射激光器及光谱检测仪. CN110247303A[P]. 2019-09-17.
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