OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
一种半导体激光器结构及其制备方法
其他题名一种半导体激光器结构及其制备方法
任夫洋; 苏建; 陈康; 刘青; 郑兆河; 徐现刚
2019-09-10
专利权人山东华光光电子股份有限公司
公开日期2019-09-10
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及一种半导体激光器结构及其制备方法。所述半导体激光器结构包括由下至上依次设置的N‑金属层、N‑电流阻挡层、衬底、外延材料层、P‑电流阻挡层及P‑金属层;所述衬底下表面有设置有周期性排列孔洞和N‑电流阻挡层。本发明在衬底减薄后设置孔洞及电流阻挡层,释放外延片内部应力,N面焊接封装时增大与焊料接触面积,键合牢固,缓冲热应力,同时限制电流注入区域,提高光电转换效率。
其他摘要本发明涉及一种半导体激光器结构及其制备方法。所述半导体激光器结构包括由下至上依次设置的N‑金属层、N‑电流阻挡层、衬底、外延材料层、P‑电流阻挡层及P‑金属层;所述衬底下表面有设置有周期性排列孔洞和N‑电流阻挡层。本发明在衬底减薄后设置孔洞及电流阻挡层,释放外延片内部应力,N面焊接封装时增大与焊料接触面积,键合牢固,缓冲热应力,同时限制电流注入区域,提高光电转换效率。
主权项一种半导体激光器结构,包括由下至上依次设置的N-金属层、N-电流阻挡层、衬底、外延材料层、P-电流阻挡层及P-金属层;其中, 所述外延材料层上有周期性设置的脊条、位于脊条两侧的沟槽和位于沟槽外侧的肩部;形成带肩脊条结构; 在所述的脊条、沟槽和肩部的表面设置有P-电流阻挡层;所述P-电流阻挡层在脊条位置设有窗口1,且窗口1宽度小于脊条宽度;形成P面; 在衬底下表面对应于P面的肩部区域上有周期性设置的孔洞或沟道; 所述衬底下表面设置有N-电流阻挡层;所述N-电流阻挡层在对应于所述脊条位置设有窗口2,窗口2位置及宽度与所述窗口1相同。
申请日期2018-03-02
专利号CN110224300A
专利状态申请中
申请号CN201810176096.5
公开(公告)号CN110224300A
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/32
专利代理人陈桂玲
代理机构济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55518
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
任夫洋,苏建,陈康,等. 一种半导体激光器结构及其制备方法. CN110224300A[P]. 2019-09-10.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN110224300A.PDF(422KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[任夫洋]的文章
[苏建]的文章
[陈康]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[任夫洋]的文章
[苏建]的文章
[陈康]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[任夫洋]的文章
[苏建]的文章
[陈康]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。