Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法 |
| 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊 | |
| 2019-08-23 | |
| 专利权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法，芯片包括：沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层，所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二InGaAs阱层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第三InGaAs阱层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，三个(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的Al组分依次增加、In组分依次减少。能够有效平衡应变，降低工艺难度。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法，芯片包括：沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层，所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二InGaAs阱层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第三InGaAs阱层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，三个(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的Al组分依次增加、In组分依次减少。能够有效平衡应变，降低工艺难度。 |
| 主权项 | 一种具有高功率的VCSEL芯片，其特征在于，包括沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层，所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二InGaAs阱层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第三InGaAs阱层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，其中，0≤xxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的Al组分依次增加，所述第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的In组分依次减少。 |
| 申请日期 | 2019-06-10 |
| 专利号 | CN110165552A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910495765.X |
| 公开（公告）号 | CN110165552A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55467 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法. CN110165552A[P]. 2019-08-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110165552A.PDF（320KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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