Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 用于高阶模式抑制的方法、系统和设备 | |
| 其他题名 | 用于高阶模式抑制的方法、系统和设备 |
| M·坎斯卡; 陈之纲 | |
| 2019-08-09 | |
| 专利权人 | 恩耐公司 |
| 公开日期 | 2019-08-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种激光二极管垂直外延结构，包括：横向波导，所述横向波导包括在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，其中所述横向波导由在横向波导的n侧上的低折射率n包覆层和在横向波导的p侧上的低折射率p包覆层界定；侧向波导，所述侧向波导正交于所述横向波导，其中，所述侧向波导在纵向上在第一端由涂覆有高反射器(HR)涂层的腔面界定并且在第二端由涂覆有部分反射器(PR)涂层的腔面界定；以及高阶模式抑制层(HOMSL)，所述高阶模式抑制层被设置为邻近侧向波导的至少一个侧边并且所述高阶模式抑制层在纵向上延伸。 |
| 其他摘要 | 一种激光二极管垂直外延结构，包括：横向波导，所述横向波导包括在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，其中所述横向波导由在横向波导的n侧上的低折射率n包覆层和在横向波导的p侧上的低折射率p包覆层界定；侧向波导，所述侧向波导正交于所述横向波导，其中，所述侧向波导在纵向上在第一端由涂覆有高反射器(HR)涂层的腔面界定并且在第二端由涂覆有部分反射器(PR)涂层的腔面界定；以及高阶模式抑制层(HOMSL)，所述高阶模式抑制层被设置为邻近侧向波导的至少一个侧边并且所述高阶模式抑制层在纵向上延伸。 |
| 主权项 | 一种激光二极管垂直外延结构，包括： 横向波导，所述横向波导包括在n型半导体层和p型半导体层之间的有源层，其中，所述横向波导由在所述横向波导的n侧上的低折射率n包覆层和在所述横向波导的p侧上的低折射率p包覆层界定； 侧向波导，所述侧向波导正交于所述横向波导，其中，所述侧向波导在纵向上在第一端由涂覆有高反射器(HR)涂层的腔面界定并且在第二端由涂覆有部分反射器(PR)涂层的腔面界定；以及 高阶模式抑制层(HOMSL)，所述高阶模式抑制层被设置为邻近所述侧向波导的至少一个侧边并且所述高阶模式抑制层在纵向上延伸。 |
| 申请日期 | 2017-10-27 |
| 专利号 | CN110114945A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201780080733.2 |
| 公开（公告）号 | CN110114945A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/10 | H01S5/042 | H01S5/028 |
| 专利代理人 | 张伟 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55431 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 恩耐公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M·坎斯卡,陈之纲. 用于高阶模式抑制的方法、系统和设备. CN110114945A[P]. 2019-08-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110114945A.PDF（1878KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [M·坎斯卡]的文章 |
| [陈之纲]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [M·坎斯卡]的文章 |
| [陈之纲]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [M·坎斯卡]的文章 |
| [陈之纲]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论