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基于布拉格光栅的高功率半导体激光器
其他题名基于布拉格光栅的高功率半导体激光器
P·A·莫顿
2019-06-07
专利权人莫尔顿光子学公司
公开日期2019-06-07
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种激光器,包括:增益芯片;包含布拉格光栅的外腔;及基片;其中所述增益芯片的第一端具有形成激光腔的第一端的高反射率面;所述增益芯片的第二端具有低反射率端面;所述外腔的第二部分包括由基片所支撑的布拉格光栅,所述基片的温度通过反馈回路维持;其中所述外腔的光学长度至少比增益芯片的光学长度大一个数量级;其中所述布拉格光栅的物理长度很长且占外腔长度的大部分,并且进行了切趾以控制光栅反射的边模。
其他摘要一种激光器,包括:增益芯片;包含布拉格光栅的外腔;及基片;其中所述增益芯片的第一端具有形成激光腔的第一端的高反射率面;所述增益芯片的第二端具有低反射率端面;所述外腔的第二部分包括由基片所支撑的布拉格光栅,所述基片的温度通过反馈回路维持;其中所述外腔的光学长度至少比增益芯片的光学长度大一个数量级;其中所述布拉格光栅的物理长度很长且占外腔长度的大部分,并且进行了切趾以控制光栅反射的边模。
主权项一种激光器,包括: 半导体增益芯片(110); 外腔(140);和 第一导热基片(160); 其中,所述增益芯片的第一端具有形成激光腔的第一端的高反射率端面(120);所述增益芯片的第二端具有低反射率端面(130),使得所述增益芯片产生的光与所述外腔的第一端耦合;所述外腔的第二部分包括形成所述激光腔的第二端的布拉格光栅(180); 其中,包括所述布拉格光栅的外腔由所述第一导热基片支承; 其中,所述外腔的光学长度至少比所述增益芯片的光学长度大一个数量级; 其中,所述布拉格光栅的物理长度大于20mm,并占所述外腔的物理长度的至少75%;以及 其中,对所述布拉格光栅进行切趾以控制光栅反射的边模。
申请日期2017-08-22
专利号CN109863655A
专利状态申请中
申请号CN201780064764.9
公开(公告)号CN109863655A
IPC 分类号H01S5/14
专利代理人郑勇
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55281
专题半导体激光器专利数据库
作者单位莫尔顿光子学公司
推荐引用方式
GB/T 7714
P·A·莫顿. 基于布拉格光栅的高功率半导体激光器. CN109863655A[P]. 2019-06-07.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN109863655A.PDF(876KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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