Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
基于布拉格光栅的高功率半导体激光器 | |
其他题名 | 基于布拉格光栅的高功率半导体激光器 |
P·A·莫顿 | |
2019-06-07 | |
专利权人 | 莫尔顿光子学公司 |
公开日期 | 2019-06-07 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 一种激光器,包括:增益芯片;包含布拉格光栅的外腔;及基片;其中所述增益芯片的第一端具有形成激光腔的第一端的高反射率面;所述增益芯片的第二端具有低反射率端面;所述外腔的第二部分包括由基片所支撑的布拉格光栅,所述基片的温度通过反馈回路维持;其中所述外腔的光学长度至少比增益芯片的光学长度大一个数量级;其中所述布拉格光栅的物理长度很长且占外腔长度的大部分,并且进行了切趾以控制光栅反射的边模。 |
其他摘要 | 一种激光器,包括:增益芯片;包含布拉格光栅的外腔;及基片;其中所述增益芯片的第一端具有形成激光腔的第一端的高反射率面;所述增益芯片的第二端具有低反射率端面;所述外腔的第二部分包括由基片所支撑的布拉格光栅,所述基片的温度通过反馈回路维持;其中所述外腔的光学长度至少比增益芯片的光学长度大一个数量级;其中所述布拉格光栅的物理长度很长且占外腔长度的大部分,并且进行了切趾以控制光栅反射的边模。 |
主权项 | 一种激光器,包括: 半导体增益芯片(110); 外腔(140);和 第一导热基片(160); 其中,所述增益芯片的第一端具有形成激光腔的第一端的高反射率端面(120);所述增益芯片的第二端具有低反射率端面(130),使得所述增益芯片产生的光与所述外腔的第一端耦合;所述外腔的第二部分包括形成所述激光腔的第二端的布拉格光栅(180); 其中,包括所述布拉格光栅的外腔由所述第一导热基片支承; 其中,所述外腔的光学长度至少比所述增益芯片的光学长度大一个数量级; 其中,所述布拉格光栅的物理长度大于20mm,并占所述外腔的物理长度的至少75%;以及 其中,对所述布拉格光栅进行切趾以控制光栅反射的边模。 |
申请日期 | 2017-08-22 |
专利号 | CN109863655A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201780064764.9 |
公开(公告)号 | CN109863655A |
IPC 分类号 | H01S5/14 |
专利代理人 | 郑勇 |
代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55281 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 莫尔顿光子学公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | P·A·莫顿. 基于布拉格光栅的高功率半导体激光器. CN109863655A[P]. 2019-06-07. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109863655A.PDF(876KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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