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一种外腔半导体激光阵列相干合束方法和装置
其他题名一种外腔半导体激光阵列相干合束方法和装置
肖瑜; 唐霞辉; 胡聪; 覃贝伦
2019-04-16
专利权人华中科技大学
公开日期2019-04-16
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种外腔半导体激光阵列相干合束方法,属于半导体激光阵列相干合束技术领域。本发明方法利用衍射光学元件等控制半导体外腔内的自再现模式为厄米高斯模式,实现半导体外腔内相位锁定,从而实现高功率条件下相位锁定相干模式输出。本发明技术方案基于厄米高斯光束的相干合束方法能够提供较好噪声抑制能力,模式均匀性高,因此可以提升相干激光输出功率,同时,不会产生额外的谐振腔内的损耗,因为每个厄米高斯光束的峰会直接耦合到单个发光单元中去,并且在腔内控制产生厄米高斯光束的方法有多种,多采用衍射光学元件,因此,实现本发明方法简单方便,成本低。另外本发明还公开了一种外腔半导体激光阵列相干合束装置。
其他摘要本发明公开了一种外腔半导体激光阵列相干合束方法,属于半导体激光阵列相干合束技术领域。本发明方法利用衍射光学元件等控制半导体外腔内的自再现模式为厄米高斯模式,实现半导体外腔内相位锁定,从而实现高功率条件下相位锁定相干模式输出。本发明技术方案基于厄米高斯光束的相干合束方法能够提供较好噪声抑制能力,模式均匀性高,因此可以提升相干激光输出功率,同时,不会产生额外的谐振腔内的损耗,因为每个厄米高斯光束的峰会直接耦合到单个发光单元中去,并且在腔内控制产生厄米高斯光束的方法有多种,多采用衍射光学元件,因此,实现本发明方法简单方便,成本低。另外本发明还公开了一种外腔半导体激光阵列相干合束装置。
主权项一种外腔半导体激光阵列相干合束方法,其特征在于,所述方法具体为:在半导体外腔内产生一个高阶的厄米高斯模式,所述高阶厄米高斯模式被用于相干合束。
申请日期2018-12-29
专利号CN109638631A
专利状态申请中
申请号CN201811636327.2
公开(公告)号CN109638631A
IPC 分类号H01S5/00 | G02B27/10
专利代理人李智 | 曹葆青
代理机构华中科技大学专利中心
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55162
专题半导体激光器专利数据库
作者单位华中科技大学
推荐引用方式
GB/T 7714
肖瑜,唐霞辉,胡聪,等. 一种外腔半导体激光阵列相干合束方法和装置. CN109638631A[P]. 2019-04-16.
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