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半導體雷射陣列及半導體雷射陣列製造方法
其他题名半導體雷射陣列及半導體雷射陣列製造方法
田中明
2006-11-21
专利权人東芝股份有限公司
公开日期2006-11-21
授权国家中国台湾
专利类型授权发明
摘要半導體雷射陣列包含一基板及一配置於該基板上用以發射第一波長雷射之第一雷射元件,該第一雷射元件具有第一多層結構,該第一多層結構包含第一主動層及第一波導結構,該第一主動層具有第一發射中心。用以發射第二波長雷射之第二雷射元件係配置於該基板上及該第一多層結構上,該第二雷射元件具有第二多層結構,該第二多層結構包含第二主動層及第二波導結構,該第二主動層具有第二發射中心,該第二發射中心係橫向且垂直地與該第一發射中心間隔開。
其他摘要半導體雷射陣列包含一基板及一配置於該基板上用以發射第一波長雷射之第一雷射元件,該第一雷射元件具有第一多層結構,該第一多層結構包含第一主動層及第一波導結構,該第一主動層具有第一發射中心。用以發射第二波長雷射之第二雷射元件係配置於該基板上及該第一多層結構上,該第二雷射元件具有第二多層結構,該第二多層結構包含第二主動層及第二波導結構,該第二主動層具有第二發射中心,該第二發射中心係橫向且垂直地與該第一發射中心間隔開。
申请日期2005-08-26
专利号TWI267244B
专利状态失效
申请号TW094129319
公开(公告)号TWI267244B
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/343 | H01L27/15
专利代理人林志剛
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48219
专题半导体激光器专利数据库
作者单位東芝股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
田中明. 半導體雷射陣列及半導體雷射陣列製造方法. TWI267244B[P]. 2006-11-21.
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