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半導體雷射,半導體雷射之製造方法及半導體雷射之安裝方法
其他题名半導體雷射,半導體雷射之製造方法及半導體雷射之安裝方法
鹽澤秀夫; 山本善生; 野野村敏幸; 福岡和雄
2002-10-21
专利权人東芝股份有限公司
公开日期2002-10-21
授权国家中国台湾
专利类型授权发明
摘要防止半導體雷射之端面保護膜之脫落。藉由於p型InGaP蝕刻停止層5上,形成p型 InGaA1P脊形帶狀光波導層6之外,並形成p型 InGaA1P脊形帶狀層6a,於光波導隆起部13之兩側形成光非波導隆起部13a。圖示請參照第1圖。
其他摘要防止半導體雷射之端面保護膜之脫落。藉由於p型InGaP蝕刻停止層5上,形成p型 InGaA1P脊形帶狀光波導層6之外,並形成p型 InGaA1P脊形帶狀層6a,於光波導隆起部13之兩側形成光非波導隆起部13a。圖示請參照第1圖。
申请日期2001-09-10
专利号TW507407B
专利状态失效
申请号TW090122354
公开(公告)号TW507407B
IPC 分类号H01S5/02 | H01S5/223 | H01S5/022 | H01S5/22 | H01S5/30 | H01S3/18
专利代理人林志剛
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47974
专题半导体激光器专利数据库
作者单位東芝股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
鹽澤秀夫,山本善生,野野村敏幸,等. 半導體雷射,半導體雷射之製造方法及半導體雷射之安裝方法. TW507407B[P]. 2002-10-21.
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