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半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器
其他题名半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器
崔卫军; 卢广
2015-10-14
专利权人北京弘光浩宇科技有限公司
公开日期2015-10-14
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器,包括热沉主体,热沉主体上设有芯片安装区和水冷区,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,所述水冷区上设有贯通热沉主体的格栅;格栅由至少两个平行排列的格栅孔组成,每个格栅孔包括两个相互平行的侧壁以及用于衔接两个侧壁的衔接端。该热沉具有高效、均匀的散热效果。本实用新型还相应提供了含有该热沉的半导体激光器。
其他摘要本实用新型公开了一种半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器,包括热沉主体,热沉主体上设有芯片安装区和水冷区,芯片安装区位于热沉主体的一端,水冷区位于靠近芯片安装区的位置,所述水冷区上设有贯通热沉主体的格栅;格栅由至少两个平行排列的格栅孔组成,每个格栅孔包括两个相互平行的侧壁以及用于衔接两个侧壁的衔接端。该热沉具有高效、均匀的散热效果。本实用新型还相应提供了含有该热沉的半导体激光器。
申请日期2015-05-26
专利号CN204706766U
专利状态失效
申请号CN201520348393.5
公开(公告)号CN204706766U
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人赵慧 | 高翔
代理机构北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47124
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京弘光浩宇科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
崔卫军,卢广. 半导体激光器单片式宏通道热沉及半导体激光器. CN204706766U[P]. 2015-10-14.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN204706766U.PDF(724KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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