Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法
其他题名	Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法
	袁新强; 姜益光; 张龙; 范金太; 姜雄伟; 毛小建
	2017-05-10
专利权人	中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期	2017-05-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法，包括碎铅玻璃的制备、配料的混合和干燥和控温烧结三步。利用Ce3+、Tb3+：YAG晶体优良的发光特性，以及铅玻璃的高折射率和低的软化温度，控温在玻璃软化后进行烧结，制成一种晶体颗粒均匀分散在玻璃中的复合材料，本发明方法具有制备温度低、析晶易控、过程简单、无需后期热处理的特点。获得的Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃在450nmLD半导体激光器激发下实现了白光输出。
其他摘要	一种Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法，包括碎铅玻璃的制备、配料的混合和干燥和控温烧结三步。利用Ce3+、Tb3+：YAG晶体优良的发光特性，以及铅玻璃的高折射率和低的软化温度，控温在玻璃软化后进行烧结，制成一种晶体颗粒均匀分散在玻璃中的复合材料，本发明方法具有制备温度低、析晶易控、过程简单、无需后期热处理的特点。获得的Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃在450nmLD半导体激光器激发下实现了白光输出。
主权项	一种Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法，特征在于该方法包括以下步骤：碎铅玻璃的制备：首先确定碎铅玻璃的摩尔百分比组成为xPbO-yPbF2-zB2O3-(1-x-y-z)Al2O3，通过“无机玻璃工程师”软件确定碎铅玻璃折射率与Ce3+、Tb3+：YAG晶体折射率相等时26.0mol％≤x≤27.5mol％，27.0mol％≤y≤28.5mol％，32.0mol％≤z≤36.0mol％，其中PbO用Pb(NO3)2引入，B2O3用HBO3引入，所有原料纯度均为分析纯，选定x，y，z值后，按照上述所选定的摩尔百分比配置一定量粉体，加入氧化铝坩埚中，在1000℃的硅碳棒炉中熔制45min，然后直接将熔融液体倒入冷水中急冷，获得碎铅玻璃；配料的混合和干燥：所述的Ce3+、Tb3+：YAG晶体和所述的碎铅玻璃质量比的范围为m＝0.05～0.4，选定Ce3+、Tb3+：YAG晶体和所述的碎铅玻璃质量比后，用分析天平按选定的Ce3+、Tb3+：YAG晶体和所述的碎铅玻璃质量比称取一定量的Ce3+、Tb3+：YAG晶体和碎铅玻璃作为原料，所述的Ce3+、Tb3+：YAG晶体粒径的85％分布在1um，纯度为99.0％，将所述的原料置于球磨罐中，添加表面活性剂乙醇，乙醇的重量与所述的原料的重量相等，通过行星式球磨机进行球磨成混合浆，球磨时间24h，转速270rpm，将所述的混合浆转移至氧化铝坩埚中，然后放入170℃的真空干燥箱中干燥24小时，得到干燥配料；控温烧结：用分析天平称取一定量的干燥配料置于坩埚中，将坩埚放入马弗炉中，在N2气氛、800～1000℃下保温30～60min，然后以2K/min的降温速率随炉降至室温，得到Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃，经切割、抛光制成规则块体Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃。
申请日期	2015-03-27
专利号	CN104844001B
专利状态	授权
申请号	CN201510137756.5
公开（公告）号	CN104844001B
IPC 分类号	C03C10/00
专利代理人	张泽纯 \| 张宁展
代理机构	上海新天专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46579
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	袁新强,姜益光,张龙,等. Ce3+、Tb3+：YAG微晶玻璃的制备方法. CN104844001B[P]. 2017-05-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104844001B.PDF（98KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文