Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 奥田 肇 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 安定した単一縦モード発振を行うことができる上に、高温発振が可能でかつ、特性が均一な半導体レーザ装置とその製造方法を提供する点。 【構成】 光導波路層をInGaAlP,クラッドをInGaAlP で構成することにより、選択エッチングを可能とすることにより、リッジを再現性良く形成できるようにして、単一縦モードのレーザ発振を安定して行うことができると共に、特性が均一な半導体レーザ装置と、これを高い歩留まりで製造する方法を提供する。 |
| 其他摘要 | 目的：通过构造具有衍射光栅的光波导和形成具有彼此不同晶体的脊的包层，并且构造作为晶体的有源层，来稳定单纵模的激光振荡，从而使激光的特性均匀化拥有不匹配的格子。组成：在倾斜5度的n型GaAs衬底11上连续生长包层12，有源层13，第一包层14和光波导15。在[011]的方向上从（100）平面或更多。光波导15构造为In0.5Ga0.5P，并且有源层使用晶格失配构造为In0.52Ga0.48P。其上转印有衍射光栅17的光波导15被第二包层18覆盖，并且使用氧化硅层作为掩模形成脊20。此外，形成n型GaAs电流阻挡层21。在脊20和电流阻挡层21被p型GaAs接触层22覆盖之后，接触层22被p型电极23覆盖，并且n型衬底11的下表面覆盖有p型电极23。因此，确保了稳定的单纵模振荡器。 |
| 申请日期 | 1992-02-19 |
| 专利号 | JP1993235463A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992031195 |
| 公开（公告）号 | JP1993235463A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 大胡 典夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43818 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 肇. 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1993235463A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993235463A.PDF（42KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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