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执行UV辅助擦除操作的存储器件
其他题名执行UV辅助擦除操作的存储器件
吴真用
专利权人爱思开海力士有限公司
公开日期2019-01-15
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种非易失性存储器件包括:多个字线,其被层叠;柱体结构,其在垂直方向上穿过字线;以及电压供给器,其适用于将根据操作模式而需要的多个偏压供给到字线和柱体结构。柱体结构包括:垂直沟道区,其被设置在核心区中;以及激光二极管结构,其被设置在字线与垂直沟道区之间以围绕垂直沟道区的外围。
其他摘要一种非易失性存储器件包括:多个字线,其被层叠;柱体结构,其在垂直方向上穿过字线;以及电压供给器,其适用于将根据操作模式而需要的多个偏压供给到字线和柱体结构。柱体结构包括:垂直沟道区,其被设置在核心区中;以及激光二极管结构,其被设置在字线与垂直沟道区之间以围绕垂直沟道区的外围。
申请日期2018-06-28
专利号CN109216370A
专利状态申请中
申请号CN201810686765.3
公开(公告)号CN109216370A
IPC 分类号H01L27/1157 | H01L27/11582
专利代理人王建国 | 厉锦
代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43364
专题半导体激光器专利数据库
作者单位爱思开海力士有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
吴真用. 执行UV辅助擦除操作的存储器件. CN109216370A.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN109216370A.PDF(2547KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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