埋込み形半導体発光素子

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	埋込み形半導体発光素子
其他题名	埋込み形半導体発光素子
	川上剛司; 岡安雅信; 竹下達也
	1998-08-14
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1998-10-22
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To enable a semiconductor light emitting element to be buried shallow and micronized, lessened in leakage current, and to trap light well by a method wherein a GaAs thin layer of the same conductivity type with a clad layer or an AlGaAs thin layer specified in Al concentration is provided adjacent to an active layer in an Al containing clad layer. CONSTITUTION:An N-GaAs or an N-GaAs thin layer 21 whose Ali concentration is 10% or below is inserted adjacent to an active layer inside an N-Al0.6GaAs clad layer 2. At this point, light emitted from an InGaAs distorted layer is 1mum or so in wavelength and provided from being absorbed by the inserted GaAs thin layer 2 As the refractive index of GaAs is larger than that of AlGaAs, the equivalent refractive index Neq of an active layer becomes slightly larger in propagation mode by providing the thin layer 2 When the GaAs thin layer the same as above is provided inside an upper P-Al0.5GaAs clad layer 4, a refractive index difference can be made large in a lateral direction when a ridge type semiconductor laser is formed, so that light can be effectively trapped in a lateral direction.
其他摘要	目的：使半导体发光元件能够被掩埋浅，微粉化，减少漏电流，并通过一种方法很好地捕获光，其中相同导电类型的GaAs薄层具有包层或AlGaAs薄层在含Al的包覆层中邻近有源层提供Al浓度。组成：阿里浓度为10％或更低的N-GaAs或N-GaAs薄层21插入N-Al0.6GaAs包层2内的有源层附近。此时，InGaAs发出的光失真因为GaAs的折射率大于AlGaAs的折射率，所以有效层的等效折射率Neq在传播模式中通过提供稍大的波长来提供波长为1μm左右的波长并且由插入的GaAs薄层21吸收。当在上部P-Al0.5GaAs包层4内部提供与上述相同的GaAs薄层时，当形成脊型半导体激光器时，可以在横向上使折射率差大，所以该光可以有效地横向捕获。
授权日期	1998-08-14
申请日期	1990-01-27
专利号	JP2814124B2
专利状态	失效
申请号	JP1990017000
公开（公告）号	JP2814124B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	玉蟲久五郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42093
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	川上剛司,岡安雅信,竹下達也. 埋込み形半導体発光素子. JP2814124B2[P]. 1998-08-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2814124B2.PDF（49KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文