放电装置与高功率半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	放电装置与高功率半导体激光器
其他题名	放电装置与高功率半导体激光器
	钟绪浪; 朱宝华; 陆业钊; 罗又辉; 王瑾; 高云峰
	2018-04-20
专利权人	大族激光科技产业集团股份有限公司
公开日期	2018-04-20
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及一种放电装置和高功率半导体激光器。高功率半导体激光包括放电装置，其中放电装置包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。所述放电装置以及高功率半导体激光器能够确保激光器的负载端的残留电量可以快速放完，从而可降低激光器故障率。
其他摘要	本实用新型涉及一种放电装置和高功率半导体激光器。高功率半导体激光包括放电装置，其中放电装置包括电源、第一晶体管、第二晶体管以及控制电路；所述电源的正极与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的源极用于与激光二极管的正极连接，所述电源的负极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第一晶体管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接；所述第二晶体管的漏极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的源极用于与所述激光二极管的负极连接，所述第二晶体管的栅极与所述控制电路的第二输出端连接。所述放电装置以及高功率半导体激光器能够确保激光器的负载端的残留电量可以快速放完，从而可降低激光器故障率。
授权日期	2018-04-20
申请日期	2017-08-21
专利号	CN207265413U
专利状态	授权
申请号	CN201721059327.1
公开（公告）号	CN207265413U
IPC 分类号	H01S5/042
专利代理人	何平
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40741
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	大族激光科技产业集团股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	钟绪浪,朱宝华,陆业钊,等. 放电装置与高功率半导体激光器. CN207265413U[P]. 2018-04-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN207265413U.PDF（100KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文