一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法

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	一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法
其他题名	一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法
	贾鹏; 陈泳屹; 秦莉; 张建伟; 宁永强; 王立军
	2019-10-01
专利权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期	2019-10-01
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明实施例公开了一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法。器件包括设置在外延片P面的波导结构和外延片结构。波导结构包括光源模块、光束分离波导、增益列阵、光栅结构；光束分离波导将光源模块出射的单模单频激光光束进行分束；增益列阵将各子光束进行增益放大，光栅结构将增益放大的子光束衍射为沿相互垂直方向传播的二阶衍射光和一阶衍射光，二阶衍射光沿着传播方向振荡增益，一阶衍射光沿传播方向从出光孔激射；从外延片的N型衬底向上依次包括N型包层、N型光波导层、有源区、P型光波导层、P型包层；出光孔和N面金属电极设置在N型衬底的下表面，P面金属电极设置在P型包层上表面。本申请实现了高功率、高相干性激光输出。
其他摘要	本发明实施例公开了一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法。器件包括设置在外延片P面的波导结构和外延片结构。波导结构包括光源模块、光束分离波导、增益列阵、光栅结构；光束分离波导将光源模块出射的单模单频激光光束进行分束；增益列阵将各子光束进行增益放大，光栅结构将增益放大的子光束衍射为沿相互垂直方向传播的二阶衍射光和一阶衍射光，二阶衍射光沿着传播方向振荡增益，一阶衍射光沿传播方向从出光孔激射；从外延片的N型衬底向上依次包括N型包层、N型光波导层、有源区、P型光波导层、P型包层；出光孔和N面金属电极设置在N型衬底的下表面，P面金属电极设置在P型包层上表面。本申请实现了高功率、高相干性激光输出。
授权日期	2019-10-01
申请日期	2017-12-27
专利号	CN107872006B
专利状态	授权
申请号	CN201711448617.X
公开（公告）号	CN107872006B
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/323
专利代理人	罗满
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38942
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	贾鹏,陈泳屹,秦莉,等. 一种表面发射半导体激光相干列阵器件及其制备方法. CN107872006B[P]. 2019-10-01.

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CN107872006B.PDF（764KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文