Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
高功率雷射封裝裝置 | |
其他题名 | 高功率雷射封裝裝置 |
賴騰憲; 李皓鈞 | |
2017-10-01 | |
专利权人 | 展翊光電股份有限公司 |
公开日期 | 2017-10-01 |
授权国家 | 中国台湾 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本創作提供一種高功率雷射封裝裝置,其具有一正極與一負極,該正極頂部係為一放置面,該放置面上係設有一雷射晶片和一絕緣層,而該絕緣層係夾設於該正極與該負極之間,該高功率雷射封裝裝置之特徵在於:該絕緣層與該雷射晶片為間隔設置,該絕緣層與該負極之間更夾設有一導電結構,該導電結構之一側係與該負極接觸,另一側則同時與該絕緣層和該雷射晶片接觸,該導電結構係為片狀結構。透過片狀之導電結構,便能夠利用大接觸面積以取代傳統需要用上百條連接線之打線方式,進而簡化打線製程,並且,大接觸面積亦能夠使導電結構與晶片之連接面具有穩定的表面接觸特性,同時還能提升連接之剛性。 |
其他摘要 | 本創作提供一種高功率雷射封裝裝置,其具有一正極與一負極,該正極頂部係為一放置面,該放置面上係設有一雷射晶片和一絕緣層,而該絕緣層係夾設於該正極與該負極之間,該高功率雷射封裝裝置之特徵在於:該絕緣層與該雷射晶片為間隔設置,該絕緣層與該負極之間更夾設有一導電結構,該導電結構之一側係與該負極接觸,另一側則同時與該絕緣層和該雷射晶片接觸,該導電結構係為片狀結構。透過片狀之導電結構,便能夠利用大接觸面積以取代傳統需要用上百條連接線之打線方式,進而簡化打線製程,並且,大接觸面積亦能夠使導電結構與晶片之連接面具有穩定的表面接觸特性,同時還能提升連接之剛性。 |
申请日期 | 2017-06-23 |
专利号 | TWM549986U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | TW106209167 |
公开(公告)号 | TWM549986U |
IPC 分类号 | H01S5/022 |
专利代理人 | 黃信嘉 | 謝煒勇 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32507 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 展翊光電股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 賴騰憲,李皓鈞. 高功率雷射封裝裝置. TWM549986U[P]. 2017-10-01. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
TWM549986U.PDF(513KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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