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Substrate emitting vertical-cavity surface-emitting laser
其他题名Substrate emitting vertical-cavity surface-emitting laser
SIRBU, ALEXEI; IAKOVLEV, VLADIMIR; BERK, YURI; MENTOVICH, ELAD
2019-10-29
专利权人MELLANOX TECHNOLOGIES, LTD.
公开日期2019-10-29
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL), substrate emitting VCSEL, and multi-beam emitting device and corresponding manufacturing processes are provided. An example VCSEL comprises a substrate having a first surface and a second surface; an output coupling mirror disposed on the second surface of the substrate; a high reflectivity mirror; and an active cavity material structure disposed between the output coupling mirror and the high reflectivity mirror. The active cavity material structure comprises a first current-spreading layer, a second current-spreading layer, an active region disposed between the first current-spreading layer and the second current-spreading layer, and a tunnel junction overgrown by the second current spreading layer, wherein the tunnel junction is disposed adjacent the active region. The VCSEL is configured to emit radiation outward through the first surface of the substrate.
其他摘要提供了垂直腔表面发射激光器(VCSEL),基板发射VCSEL和多光束发射装置以及相应的制造工艺。 VCSEL的示例包括具有第一表面和第二表面的基板;以及输出耦合镜设置在基板的第二表面上;高反射镜;有源腔材料结构,设置在输出耦合镜与高反射率镜之间。有源腔体材料结构包括第一电流扩散层,第二电流扩散层,设置在第一电流扩散层与第二电流扩散层之间的有源区以及由第二电流扩散层过度生长的隧道结。 ,其中隧道结布置在有源区附近。 VCSEL被配置为通过基板的第一表面向外发射辐射。
申请日期2018-04-04
专利号US10461507
专利状态授权
申请号US15/944955
公开(公告)号US10461507
IPC 分类号H01S5/42 | H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/042 | H01S5/022 | H01S5/028 | H01S5/40 | H01S5/343
专利代理人-
代理机构ALSTON & BIRD LLP
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32157
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MELLANOX TECHNOLOGIES, LTD.
推荐引用方式
GB/T 7714
SIRBU, ALEXEI,IAKOVLEV, VLADIMIR,BERK, YURI,et al. Substrate emitting vertical-cavity surface-emitting laser. US10461507[P]. 2019-10-29.
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