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原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
Alternative Title原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松
2018-12-21
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所
Date Available2018-09-28
Country中国
Subtype发明专利
Contribution Rank1
Abstract本发明涉及一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法,以解决现有技术无法对薄膜厚度和掺杂比例进行精确控制,特别是在控制薄膜厚度的精度达到原子级别并同时实现大面积均匀生长方面存在缺陷的问题。该方法包括以下步骤:1)将基体放入沉积室内;2)将沉积室抽真空并将基体加热;3)进行8~11次Al2O3沉积循环,单次Al2O3沉积包括:3.1)向沉积室通入前驱体Al源,Al源在沉积室暴露设定的时间,吹扫沉积室;3.2)通入前驱体氧源,得到单层Al2O3;3.3)吹扫沉积室;4)进行1次Mo沉积;4.1)向沉积室通入前驱体Mo源,吹扫沉积室;4.2)通入还原剂,得到单层Mo金属单质;4.3)吹扫沉积室;5)依次重复步骤3)和步骤4)多次,得到Mo掺杂Al2O3高阻薄膜。
Claim一种原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)将基体放入沉积室内; 2)将沉积室抽真空至10-2Pa~10-5Pa,并将基体加热至120~350℃; 3)进行8~11次Al2O3沉积循环; 单次Al2O3沉积包括步骤3.1)至步骤3.3), 3.1)向沉积室通入前驱体Al源,Al源在沉积室暴露设定的时间,吹扫沉积室,将多余的前驱体吹扫干净; 3.2)通入前驱体氧源,氧源在沉积室暴露设定的时间,通过化学吸附反应得到单层Al2O3; 3.3)吹扫沉积室,将多余的前驱体和副产物吹扫干净; 4)进行1次Mo沉积; 4.1)向沉积室通入前驱体Mo源,Mo源在沉积室暴露设定的时间,吹扫沉积室,将多余的前驱体吹扫干净; 4.2)通入还原剂,通过化学吸附反应得到单层Mo金属单质; 4.3)吹扫沉积室,将多余的前驱体和副产物吹扫干净; 5)依次重复步骤3)和步骤4)多次,降温后得到Mo掺杂Al2O3高阻薄膜。
Subject AreaC23c16/455
MOST Discipline CatalogueC23
Copyright Date2018-12-21
DOIC23C16
Application Date2018-05-21
Patent NumberCN201810489472.6
Language中文
Status申请中
Application NumberCN201810489472.6
PCT Attributes
Open (Notice) NumberCN108588680A
IPC Classification NumberC23C16/455 ; C23C16/14 ; C23C16/40
Patent Agent杨引雪
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Citation statistics
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30998
Collection其它单位_其它部门
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
朱香平,邹永星,赵卫,等. 原子层沉积制备Mo掺杂Al2O3高阻薄膜的方法. CN201810489472.6[P]. 2018-12-21.
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