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原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
其他题名原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法
朱香平; 邹永星; 赵卫; 郭海涛; 陆敏; 许彦涛; 张文松
2018-12-21
专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期2018-09-28
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序1
摘要本发明涉及一种原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法,以解决现有技术无法对薄膜厚度和掺杂比例进行精确控制,特别是在控制薄膜厚度的精度达到原子级别并同时实现大面积均匀生长方面存在缺陷的问题。该方法包括以下步骤:1)将基体放入沉积室内;2)将沉积室抽真空并将基体加热;3)进行2~5次Al2O3沉积循环,单次Al2O3沉积包括:3.1)向沉积室通入前驱体Al源,Al源在沉积室暴露设定的时间,吹扫沉积室;3.2)通入前驱体氧源,得到单层Al2O3;3.3)吹扫沉积室;4)进行1~2次W沉积;4.1)向沉积室通入前驱体W源,吹扫沉积室;4.2)通入还原剂,得到单层W金属单质;4.3)吹扫沉积室;5)依次重复步骤3)和步骤4)多次,得到W掺杂Al2O3高阻薄膜。
主权项一种原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)将基体放入沉积室内; 2)将沉积室抽真空至10-2Pa~10-5Pa,并将基体加热至120~350℃; 3)进行2~5次Al2O3沉积循环; 单次Al2O3沉积包括步骤3.1)至步骤3.3), 3.1)向沉积室通入前驱体Al源,Al源在沉积室暴露设定的时间,吹扫沉积室,将多余的前驱体吹扫干净; 3.2)通入前驱体氧源,氧源在沉积室暴露设定的时间,通过化学吸附反应得到单层Al2O3; 3.3)吹扫沉积室,将多余的前驱体和副产物吹扫干净; 4)进行1~2次W沉积; 单次W沉积包括步骤4.1)至步骤4.3), 4.1)向沉积室通入前驱体W源,W源在沉积室暴露设定的时间,吹扫沉积室,将多余的前驱体吹扫干净; 4.2)通入还原剂,通过化学吸附反应得到单层W金属单质; 4.3)吹扫沉积室,将多余的前驱体和副产物吹扫干净; 5)依次重复步骤3)和步骤4)多次,降温后得到W掺杂Al2O3高阻薄膜。
学科领域C23c16/455
学科门类C23
授权日期2018-12-21
DOIC23C16
申请日期2018-05-21
专利号CN201810489471.1
语种中文
专利状态申请中
申请号CN201810489471.1
PCT属性
公开(公告)号CN108588679A
IPC 分类号C23C16/455 ; C23C16/14 ; C23C16/40
专利代理人杨引雪
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
引用统计
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30996
专题其它单位_其它部门
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
朱香平,邹永星,赵卫,等. 原子层沉积制备W掺杂Al2O3高阻薄膜的方法. CN201810489471.1[P]. 2018-12-21.
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