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可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆
Alternative Title可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆
张文伟
2018-10-26
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所 | 西安中科阿尔法电子科技有限公司
Date Available2018-10-26
Country中国
Subtype实用新型
Contribution Rank1
Abstract本实用新型涉及芯片测试领域,具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片,该芯片可实现集束晶圆级老化处理,免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象,提高了芯片打线的可靠性。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计,晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量,减小成本,并且可以提高老化处理的可靠性。一种可实现集束晶圆级老化的芯片,包括芯片,还包含两根引线,所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
Claim一种可实现集束晶圆级老化的芯片,包括芯片(1),其特征在于: 还包含两根引线(2),两根引线(2)分别从芯片(1)的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。
Copyright Date2018-10-26
Application Date2018-03-28
Patent NumberCN201820432955.8
Language中文
Status申请中
Application NumberCN201820432955.8
PCT Attributes
Open (Notice) NumberCN208014653U
IPC Classification NumberH01L21/66 ; G01R31/26
Patent Agent陈广民
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30963
Collection其它单位_其它部门
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
张文伟. 可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆. CN201820432955.8[P]. 2018-10-26.
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2018204329558.pdf(1471KB)专利 暂不开放CC BY-NC-SAApplication Full Text
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