Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法 | |
| 其他题名 | 单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法 |
郭海涛 ; 肖旭升; 彭波; 许彦涛; 陆敏
| |
| 2018-11-02 | |
| 专利权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 公开日期 | 2018-11-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 产权排序 | 1 |
| 摘要 | 本发明提供单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法，该光纤由外包层、内包层和纤芯组成，本发明利用高速旋管法制备外包层管和内包层管，利用熔融淬冷法制备芯棒，并结合多次棒管法制备得到芯包偏心小、界面贴合紧密，表面光滑且圆度良好的单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，后期测试得到了中心波长分别在2957和4258nm的中红外光纤荧光光谱，本发明所提供的光纤有望成为一种理想的中红外主动光纤材料；本发明的光纤制备方法解决了现有硫系玻璃光纤的制备所存在的芯包易偏心，芯包尺寸比不易被定量控制，芯包结合面贴合不紧的问题。 |
| 主权项 | 单模双包层掺镝硫系玻璃光纤，其特征在于：由内至外依次包括芯层、内包层及外包层； 所述芯层的组分为：Ge：20～25mol％，Ga：3～7mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％，Se：1～4mol％，Dy：0.1～1mol％； 所述内包层的组分为：Ge：20～25mol％，Ga：4～8mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％； 所述外包层的组分为：Ge：22～28mol％，Ga：2～5mol％，Sb：8～12mol％，S：60～65mol％。 |
| 授权日期 | 2018-11-02 |
| 申请日期 | 2018-04-18 |
| 专利号 | CN201810350914.9 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201810350914.9 |
| PCT属性 | 否 |
| 公开（公告）号 | CN108732680A |
| IPC 分类号 | G02B6/036 ; G02B6/02 ; C03C13/04 ; C03B37/025 |
| 专利代理人 | 杨引雪 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30951 |
| 专题 | 热控技术研究室_其它单位_其它部门 |
| 作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 第一作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭海涛,肖旭升,彭波,等. 单模双包层掺镝硫系玻璃光纤及其制备方法. CN201810350914.9[P]. 2018-11-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 2018103509149.pdf（1168KB） | 专利 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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