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一种可自恢复的过流关断保护方法及电路
Alternative Title一种可自恢复的过流关断保护方法及电路
张健; 许哲; 赵燕
2018-11-30
Rights Holder中国科学院西安光学精密机械研究所
Date Available2018-11-30
Country中国
Subtype发明专利
Contribution Rank1
Abstract本发明公开一种可自恢复的过流关断保护方法及电路,在电流通路上串接开关P‑MOS管,电流检测传感器、R‑C并联滤波电路、反向迟滞电压比较器以及基于N‑MOS管的开关控制器;反向迟滞电压比较器确定电流检测传感器输出电压是否超出正常值,根据输入电压与参考电压的比较情况输出高电平或低电平,基于N‑MOS管的开关控制器根据接收的高电平或低电平实现截止或导通,开关P‑MOS管根据基于N‑MOS管的开关控制器的截止或导通状态完成关断或导通。解决因在断电保护后需要人为干预才能恢复正常工作而导致电路短暂宕机的问题。可在供电电路电流异常增大时,自行对电路电流进行关断,在维持一段时间的掉电后,重新自行恢复供电,且电路结构原理简单、成本低、通用性强。
Claim一种可自恢复的过流关断保护方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一:在电流的通路上串接开关P-MOS管,通过开关P-MOS管的栅极电压状态控制P-MOS管源极-漏极的导通与截止,实现电流通断控制; 步骤二:检测电流通路上的电流,并将电流信号转换为电压信号; 步骤三:将步骤二输出的电压信号进行R-C滤波,降低电压纹波; 步骤四:将步骤三滤波后的电压信号输入至一个反向迟滞电压比较器,反向迟滞电压比较器依据输入电压与参考电压的比较情况输出高电平或低电平; 步骤五:将步骤四输出的高电平或低电平接入到基于N-MOS管的开关控制器,基于N-MOS管的开关控制器根据接收的高电平或低电平分别实现导通或截止,开关P-MOS管根据基于N-MOS管的开关控制器的截止或导通状态完成关断或导通。
Copyright Date2018-11-30
Application Date2018-08-22
Patent NumberCN201810961718.5
Language中文
Status申请中
Application NumberCN201810961718.5
PCT Attributes
Open (Notice) NumberCN108923376A
IPC Classification NumberH02H3/08 ; H02H3/06
Patent Agent汪海艳
Agency西安智邦专利商标代理有限公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30919
Collection其它单位_其它部门
Affiliation中国科学院西安光学精密机械研究所
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
张健,许哲,赵燕. 一种可自恢复的过流关断保护方法及电路. CN201810961718.5[P]. 2018-11-30.
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