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一种可自恢复的过流关断保护方法及电路
其他题名一种可自恢复的过流关断保护方法及电路
张健; 许哲; 赵燕
2018-11-30
专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期2018-11-30
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序1
摘要本发明公开一种可自恢复的过流关断保护方法及电路,在电流通路上串接开关P‑MOS管,电流检测传感器、R‑C并联滤波电路、反向迟滞电压比较器以及基于N‑MOS管的开关控制器;反向迟滞电压比较器确定电流检测传感器输出电压是否超出正常值,根据输入电压与参考电压的比较情况输出高电平或低电平,基于N‑MOS管的开关控制器根据接收的高电平或低电平实现截止或导通,开关P‑MOS管根据基于N‑MOS管的开关控制器的截止或导通状态完成关断或导通。解决因在断电保护后需要人为干预才能恢复正常工作而导致电路短暂宕机的问题。可在供电电路电流异常增大时,自行对电路电流进行关断,在维持一段时间的掉电后,重新自行恢复供电,且电路结构原理简单、成本低、通用性强。
主权项一种可自恢复的过流关断保护方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一:在电流的通路上串接开关P-MOS管,通过开关P-MOS管的栅极电压状态控制P-MOS管源极-漏极的导通与截止,实现电流通断控制; 步骤二:检测电流通路上的电流,并将电流信号转换为电压信号; 步骤三:将步骤二输出的电压信号进行R-C滤波,降低电压纹波; 步骤四:将步骤三滤波后的电压信号输入至一个反向迟滞电压比较器,反向迟滞电压比较器依据输入电压与参考电压的比较情况输出高电平或低电平; 步骤五:将步骤四输出的高电平或低电平接入到基于N-MOS管的开关控制器,基于N-MOS管的开关控制器根据接收的高电平或低电平分别实现导通或截止,开关P-MOS管根据基于N-MOS管的开关控制器的截止或导通状态完成关断或导通。
授权日期2018-11-30
申请日期2018-08-22
专利号CN201810961718.5
语种中文
专利状态申请中
申请号CN201810961718.5
PCT属性
公开(公告)号CN108923376A
IPC 分类号H02H3/08 ; H02H3/06
专利代理人汪海艳
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30919
专题其它单位_其它部门
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张健,许哲,赵燕. 一种可自恢复的过流关断保护方法及电路. CN201810961718.5[P]. 2018-11-30.
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