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ICCD选通脉冲源的设计与实验研究
Alternative TitleDesign and Experimental Study of ICCD Gated Pulse Source
虎俊宇1,2; 裴承全1; 田进寿1; 王俊峰1; 方玉熳1,2; 温文龙1
Department精密物理量测量实验室
2018-09-01
Source Publication光子学报
ISSN10044213
Volume47Issue:9
Contribution Rank1
Abstract

基于微处理器并结合模拟延迟电路以及数字逻辑电路,设计了分辨率可达5ns、最小脉宽为65ns、频率高达1MHz、且通过上位机可以远程控制的选通脉冲源.用该脉冲源结合选通电源测试了阴极上镀有金属导电基底和没有金属导电基底的ICCD的选通快门时间.结果表明当镀有金属基底时,ICCD具有更短的开启时间.建立相应的等效电路模型和阴极开关过程满足的RC等效方程,定性分析得出阴极面电阻的减小是使得ICCD开启时间缩短的主要因素. 

DOI10.3788/gzxb20184709.0911001
Indexed ByEI ; CSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:6334997
EI Accession Number20184806161510
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30852
Collection精密物理量测量实验室
Corresponding Author田进寿
Affiliation1.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室;
2.中国科学院大学
First Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Corresponding Author Affilication中国科学院西安光学精密机械研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
虎俊宇,裴承全,田进寿,等. ICCD选通脉冲源的设计与实验研究[J]. 光子学报,2018,47(9).
APA 虎俊宇,裴承全,田进寿,王俊峰,方玉熳,&温文龙.(2018).ICCD选通脉冲源的设计与实验研究.光子学报,47(9).
MLA 虎俊宇,et al."ICCD选通脉冲源的设计与实验研究".光子学报 47.9(2018).
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