STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS
ZHAO, JL1; GAO, Y1; LIU, XY1; DOU, K1; HUANG, SH1; YU, JQ1; LIANG, JC2; GAO, HK3
作者部门中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
1995-07-15
发表期刊JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS
ISSN0261-8028
卷号14期号:14页码:1004-1006
产权排序3
文章类型Article
WOS标题词Science & Technology ; Technology
收录类别SCI
关键词[WOS]SEMI-INSULATING GAAS ; MOLECULAR-BEAM EPITAXY ; LOW-TEMPERATURES ; LUMINESCENCE ; EXCITATION
语种英语
WOS研究方向Materials Science
WOS类目Materials Science, Multidisciplinary
WOS记录号WOS:A1995RL97100010
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30327
专题中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
作者单位1.CHINESE ACAD SCI,CHANGCHUN INST PHYS,EXCITED STATE PROC LAB,CHANGCHUN 130021,PEOPLES R CHINA
2.CIVIL AVIAT INST CHINA,DEPT BASIC SCI,TIANJIN 300300,PEOPLES R CHINA
3.CHINESE ACAD SCI,XIAN INST OPT & FINE MECH,XIAN 710068,PEOPLES R CHINA
推荐引用方式
GB/T 7714
ZHAO, JL,GAO, Y,LIU, XY,et al. STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,1995,14(14):1004-1006.
APA ZHAO, JL.,GAO, Y.,LIU, XY.,DOU, K.,HUANG, SH.,...&GAO, HK.(1995).STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,14(14),1004-1006.
MLA ZHAO, JL,et al."STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 14.14(1995):1004-1006.
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