STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION
ZHAO, JL1; GAO, Y1; LIU, XY1; SU, XA1; HUANG, SH1; YU, JQ1; LIANG, JC2; GAO, HK3
作者部门中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
1994-12-01
发表期刊JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS
ISSN0261-8028
卷号13期号:23页码:1694-1696
产权排序3
文章类型Article
WOS标题词Science & Technology ; Technology
收录类别SCI
关键词[WOS]EPITAXIAL GAAS ; DEFECTS
语种英语
WOS研究方向Materials Science
WOS类目Materials Science, Multidisciplinary
WOS记录号WOS:A1994PX08400014
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30326
专题中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
作者单位1.CIVIL AVIAT INST CHINA,DEPT BASIC SCI,TIANJIN 300300,PEOPLES R CHINA
2.CHINESE ACAD SCI,CHANGCHUN INST PHYS,CHANGCHUN 130021,PEOPLES R CHINA
3.CHINESE ACAD SCI,XIAN INST OPT & PRECIS MECH,XIAN 710068,PEOPLES R CHINA
推荐引用方式
GB/T 7714
ZHAO, JL,GAO, Y,LIU, XY,et al. STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,1994,13(23):1694-1696.
APA ZHAO, JL.,GAO, Y.,LIU, XY.,SU, XA.,HUANG, SH.,...&GAO, HK.(1994).STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,13(23),1694-1696.
MLA ZHAO, JL,et al."STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 13.23(1994):1694-1696.
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