OPT OpenIR  > 瞬态光学技术国家重点实验室
一种NASICON型镁离子固体电解质及其制备方法
张洪; 李文龙; 王浩静; 陈铭德; 周倩倩; 王红飞
2016-02-05
公开日期2016-06-08
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明一种NASICON型镁离子固体电解质及其制备方法,其中NASICON型镁离子固体电解质化学计量式为Mg0.5+0.5xAlxZr2-x(PO4)3,其中:x=0.1-0.3。本发明提供一种Al3+掺杂的NASICON型镁离子固体电解质,降低了镁离子在跃迁过程中需要的能量,使得该固体电解质的常温离子电导率超过10-5S/cm,较大地提高了NASICON型镁离子固体电解质的电导率。非常有利于全固态镁离子电池的构建。
主权项0001.1.一种NASICON型镁离子固体电解质,其特征在于:其化学计量式为Mg0.5+0.5xAlxZr2-x (PO4)3,其中:x=0.1-0.3。
授权日期2016-07-06
专利号CN201610083033.6
语种中文
专利状态审查中-实审
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29718
专题瞬态光学技术国家重点实验室
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张洪,李文龙,王浩静,等. 一种NASICON型镁离子固体电解质及其制备方法. CN201610083033.6[P]. 2016-02-05.
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